Один из ведущих поставщиков полупроводниковых элементов и решений компания Micron Technology, сегодня объявила о успешном построении первого полностью рабочего модуля DDR4 DRAM памяти. В ближайшее время компания будет активно рассылать успешные образцы памяти своим крупным клиентам, для её скорого внедрения уже в 2013 году.
Ожидается что новый тип памяти будет воспринят положительно, особенно в серверном и корпоративном сегменте, где требуются большие пропускные способности оперативной памяти. Это ускорит процесс интеграции нового стандарта в другие сегменты рынка.
Кроме того, модули будут положительно восприняты и быстрорастущим рынком смартфонов, планшетов и других портативных устройств, благодаря большей производительности и меньшему энергопотреблению.
Новые чипы памяти будут выпускаться в сотрудничестве с производителем памяти Nanya по 30нм техпроцессу, а разновидностей 8x исполнения ожидается больше чем обычно: RDIMM, LRDIMM, 3DS, UDIMM, SODIMM. Большинство стандартов будут включать как стандартную non-ECC память, так и с исправлением ошибок ECC.
Будут доступны x8, x16, x32 модули, со скоростью выше 2400 MT/с или с поддержкой JEDEC — 3200 MT/с (млн. перемещений в секунду).
Вице-президент группы DRAM Micron Solutions, Брайан Ширли сказал: «С JEDEC мы стараемся определиться как можно быстрее и обеспечить совместимость с полным стандартом в первых продуктах. С другой стороны это не критично, так как полная JEDEC реализация скорее всего будет востребована ближе к концу жизни DDR4. Мы уже начали предоставлять образцы ключевым партнёрам на рынке, чтобы они начали готовиться к массовому производству заранее, для более плавного прекращения производства памяти по старому стандарту и начала производства по новому.»
Когда JEDEC утвердит окончательные спецификации, компания внесёт последние штрихи и начнётся массовое производство 30nm памяти нового стандарта DRAM DDR4. Выбор ключевых партнёров начался в начале 2012 года, а начало массового производства планируется начать в четвёртом квартале 2012 года (4Q2012).
Как утверждается из авторитетных источников, DDR4 DRAM стандарт шагнёт дальше, чем когда то шагнул стандарт DDR3 DRAM. По суммарному улучшению характеристик они будет сравним с тем, что произошёл при переходе с DDR DRAM на DDR2 DRAM. DDR 4 будет поддерживать частоту функционирования от 2133 до 4266 МГц, а рабочее напряжение не должно превышать 1,2 В. Компания Samsung, в Январе 2011 года, уже представила свои модули на DRAM DDR4 памяти, работающие на частоте 2133 МГц. Позднее свою DDR4 память, работающую на частоте 2400 МГц представила и компания Hynix, заявив о 80% увеличении производительности по сравнению с DDR3-1333.
Ну чтож, практически все в сборе, а значит скоро начнётся массовый апгрейд. И всё же начала не будет без выпуска первых массовых материнских плат с поддержкой DRAM DDR4, которых к слову, запланировано довольно немного.
