SLC NAND (Singlelevel cell, одноуровневая ячейка памяти) – технология производства микросхем для твёрдотельных накопителей (SSD), в которой предусмотрено хранение одного бита данных в одной ячейке. К примеру в MLC (multilevel cell) микросхемах, число хранимых битов может достигать 2-х бит, а в TLC (triplelevel cell) — 3-х бит.

SLC NAND выгодно отличается от других технологий надёжностью, скоростью, износостойкостью (показатель до 6-и раз лучше чем у MLC). Так как бит информации в ячейке всего один, память лучше защищена от возможных ошибок, но это несёт большую проблему, которая вскоре может свести производство SLC памяти на нет.

Она заключается в том, что для SLC требуются бОльшие площади на микросхеме. Больше чипов памяти, больше затраты на производство. Поэтому накопители на SLC NAND того же объёма что и TLCMLC, стоят в среднем в 1,5-2 раза дороже.

Поэтому уже сейчас, многие производители отказываются от SLC, даже в корпоративном сегменте, где данный тип памяти всегда был незаменим.

Intel к примеру представила новые корпоративные накопители на технологии HETMLC NAND (High Endurance Technology MultiLevel Cell).

TLC считается самой подверженной к износу технологией, так как в каждой ячейке, находится много бит информации. К тому же, данный тип памяти с каждым новым техпроцессом допускает всё больше ошибок, которые приходится исправлять, жертвую производительностью. С другой стороны, такие накопители стоят значительно дешевле в производстве.