MOSFET (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor) – полевой транзистор с изолированным затвором (МДП – транзистор), затвор которого отделён от канала тонким слоем диэлектрика (обычно двуокись кремния SiO2).
На диэлектрике нанесён электрод (затвор). Сам транзистор состоит из диэлектрика, полупроводника и металла. Имеет 4 электрода: исток, сток, подложка и затвор. Под воздействием определённого тока (поля), полупроводник начинает проводить электричество (усиленный сигнал с истока к стоку). Регулирует этот процесс затвор, на который подаётся разный ток, для плавной регуляции усиленного сигнала. Определённый ток приходит на исток, затвор позволяет какому то количеству идти на сток.
MOSFET – служит в основном, как усилитель сигнала, либо как выпрямитель, для понижения напряжения до нужного значения.
Принимает источник сигнала и понимает его как электромагнитное колебание, за счёт подаваемой на него мощности (от источника питания — истока) — усиливает сигнал по напряжению и мощности. Подающийся на затвор исходный сигнал малой мощности, в данном случае служит как дирижёр затвора.
