Один из мировых лидеров в производстве различной памяти, компания Samsung Electronics, объявила о начале производства первых в мире, DDR4 модулей оперативной памяти объёмом 16 ГБ. Модули предназначены для RDIMM слотов и соответственно серверных систем.

Wanhoon Hong, исполнительный вице-президент по подразделению памяти, сказал: «Новая плотность памяти, позволит нам при сотрудничестве с разработчиками контроллёров и процессоров, сделать по настоящему самые экологичные вычислительные системы. Мы стараемся максимально поддерживать конкурентные преимущества своей продукции, продвигая в свет новые наработки в производстве памяти. К примеру сейчас, мы работаем на 20 нм чипами памяти, которые будут самыми «зелёными» из существующих».

Использование 30 nm техпроцесса, позволяет делать модули DDR4, объёмом 8 и 16 ГБ. 16 ГБ планки имеют два ряда чипов памяти, в отличии от привычного одного ряда. К тому же, они располагаются на печатной плате ближе друг к другу, что позволяет вместить её два дополнительных чипа памяти с каждой стороны. До этого, Samsung уже представляла в декабре 2010 года планку памяти DDR 4, объёмом 2 ГБ.

DDR4 технология, это лакомый кусочек для серверного рынка. Технология предоставляет намного более лучшие скоростные характеристики и при этом потребляет меньше энергии. Модули памяти DDR4 от Samsung, работают с напряжением 1.2 Вольта, в отличии от DDR3 планок, работающих на 1.35 Вольта. Эта небольшая разница, позволяет экономить энергию на целых 40%. Спецификации JEDEC по стандарту DDR4 еще не готовы полностью и скорее всего выйдут официально уже в Августе 2012.

Массовое производство памяти стандарта DDR4, начнётся уже в начале следующего года. Всё зависит от производителей контроллёров и материнских плат. Samsung обещает, что с переходом на передовой 20 нм техпроцесс, появится возможность создания модулей памяти объёмом 32 ГБ.

Напомним, что Samsung является мировым лидером в производстве DRAM памяти и одним из тех факторов, которые подталкивают развитие этой технологии с 1997 года, когда они начали производить свои первые DDR DRAM модули памяти. Затем в 2001 году, они одни из первых начали выпускать DRAM DDR2 память. В 2005 году, компания Samsung начала производство первых DDR3 модулей памяти с использованием 80 нм техпроцесса.